第三十九章 载流子迁移率 (第1/2页)

周日。
　　
　　许秋来到实验室。
　　
　　段云正戴着耳机专心码字，陈婉清则在桌位上整理着纸质文献。
　　
　　许秋先和段云打了声招呼，然后走到陈婉清旁边坐下。
　　
　　“学姐，PEN基底的事有消息了吗？”
　　
　　“嗯嗯，我联系了几家做光电材料的厂家，其中一家有现成的PEN基底，”陈婉清道：“不过他们只做大面积的基底，最少要买1米乘10米，我就按最小的规格买了，估计一周之内就能到。”
　　
　　“大面积的基底，”许秋问道：“指的是一整张10平方米面积的PEN基底，上面均匀镀有ITO吗？”
　　
　　“没错。”陈婉清道。
　　
　　“可我们用的玻璃基片上ITO是有图案的啊。”许秋道。
　　
　　“那么就需要先将大块的基片裁剪为一平方英寸的小片，然后再把不需要的ITO蚀刻掉，得到图案化的ITO基底。”陈婉清道。
　　
　　“好吧，我明白了，”许秋道：“那学姐有现成的蚀刻条件吗？”
　　
　　“好像没有哦。”陈婉清歪头想了想道。
　　
　　“好像？”许秋在心里嘀咕了一句，说道：“好吧，那我找找看。”
　　
　　他掏出电脑，再次翻看那几篇柔性衬底的文献。
　　
　　很快，他就在其中一篇文献的实验信息部分，看到了他们给出的蚀刻ITO的条件：
　　
　　在2摩尔每升的稀盐酸中加入锌粉，随后放入ITO基片，与溶液接触的部分将被蚀刻掉。
　　
　　不过，现在PEN/ITO基片还没有到，他只能先把这个方法记下，然后向陈婉清汇报：
　　
　　“学姐，我找到ITO的蚀刻方法了。”
　　
　　“这么快就找到啦，让我看看。”陈婉清凑过头，看了看许秋的电脑。
　　
　　“我想起来了，这是经典的湿法蚀刻方法，我记得还有一种干法蚀刻……”看到许秋在盯着她看，陈婉清小声说道：
　　
　　“如果我说我刚刚真的没想起来，你会相信吗？”
　　
　　“我信。”许秋无奈的摊摊手。
　　
　　…………
　　
　　今天没有实验做，许秋在实验室里逛了一圈，想看看还有什么自己不熟悉的仪器。
　　
　　结果，他惊奇的发现，整个实验室里，除了电化学工作站外，仅有一台仪器是他还没有用过的。
　　
　　那台仪器，他还依稀有些印象，好像是在田晴的毕业答辩PPT上出现过。
　　
　　考虑到下周开始考试周后，他有近一个月时间不来实验室，许秋决定今天把这台仪器搞定了。
　　
　　于是，他找到陈婉清。
　　
　　“学姐，实验室里那台仪器是干什么用的呢，可以教我吗？”
　　
　　“那一台呀，是用来测试CELIV和TOF的，”陈婉清道：“主要是田晴在使用，她的毕业设计就是做这个的。
　　
　　不过，当初魏老师也把测试方法教给了其他人，我也会操作，只是数据分析方面就不太行了。
　　
　　两台仪器主要是用来表征电池器件中载流子的输运情况，是比较偏向于理论研究的。
　　
　　通过建立模型、拟合数据，据说可以得到很多电荷输运动力学的信息。
　　
　　但我现在只会简单的计算载流子迁移率。
　　
　　

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