第一百七十二章：碳基芯片 (第1/2页)

看着虚拟屏幕上的二级任务奖励，韩元的喉结动了动，情不自禁的咽了下口水。
　　
　　翻身，起立，他飞奔回书房打开电脑，从网上搜索着有关芯片相关的信息。
　　
　　【碳基芯片、仿生机器人、元宇宙、超时空音乐会……云栖大会即将开幕，将重磅发布核心技术。】
　　
　　【碳基芯片成华威救命稻草，华威主动公开专利，引发华米碳基芯片对决。】
　　
　　【硅基芯片即将到达极限？台积电再传好消息，我国早已布局。】
　　
　　【硅基芯片物理极限是七纳米，为何台积电却依然能做出五纳米的芯片?】
　　
　　【硅基光电子与微电子单片集成研究进展.......】
　　
　　网页上，一条又一条和芯片有关的信息映入韩元眼中。
　　
　　十余分钟后，他终于放下了鼠标，身体往后一倒，靠在椅背上。
　　
　　硅基芯片有另外一个名字，叫做‘硅基光电子集成芯片’。
　　
　　从命名来看，这个‘碳基集成电路板’几乎可以确认属于集成芯片中的概念。
　　
　　只是不知道这个集成电路能达到一个什么样的地步？
　　
　　能不能突破硅基芯片极限？
　　
　　对于这个，韩元很是期待。
　　
　　要知道，传统的硅基芯片是有极限的。
　　
　　这是物理极限，由硅原子和硅晶格的直径决定的，硅原子的直径是0.117纳米，但硅晶格的直径是0.5纳米左右。
　　
　　当硅基芯片突破1nm之后，量子隧穿效应将使得“电子失控”，芯片就完全失效。
　　
　　准确的说，传统的硅基芯片在5nm，甚至7nm以下，就已经存在量子隧穿效应了。
　　
　　但后面科学家通过不断的更换晶体管的材料来打破这个极限。
　　
　　世界上最小的晶体管是栅极长度为1纳米的二硫化钼。
　　
　　但无论再怎么更换晶体管的材料，硅基底的物理特性摆在了哪里。
　　
　　也就是说，硅基半导体材料的极限注定在一纳米这个数字上。
　　
　　低于一纳米，穿梭在晶体管中的电子会直接击穿硅基底的晶格结构，从而造成电子乱串。
　　
　　这也就是所谓的‘量子隧穿效应’，亦是硅基芯片的极限。
　　
　　然而这也只是理论，实际上由于物理所限，硅基芯片技术能做到两纳米几乎是极限了，硅基管不能再小了。
　　
　　一纳米，那几乎就是黑科技。
　　
　　所以芯片如果想要再进一步发展，那么寻找其他的材料来替换硅半导体这是必须的。
　　
　　有关碳基芯片的消息，韩元也是知道一些的。
　　
　　毕竟前些年的时候网络上闹的轰轰烈烈的。
　　
　　什么碳基芯片弯道超车。
　　
　　什么硅基芯片被强制垄断，我国发展碳基芯片，打破西方全线围堵。
　　
　　各种有关的消息在网上遍地都是，他又不是村里刚通2g网。
　　
　　当时的他还没有毕业，对于这种东西还是挺感兴趣的。
　　
　　毕竟真要能研制出来碳基芯片这种东西，那华国的腾飞将是注定的，谁也无法阻止。
　　
　　真要说为国奉献出所有他也做不到，但不代表他不能为国家高速发展而高兴。
　　
　　但后面偶尔在和学校的教授聊过这个话题后，韩元就放下这种想法。
　　
　　

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