第一百八十四章：离子注入 (第1/2页)

化学实验室中，韩元将取出来的浓硫酸和浓硝酸按照要求进行稀释到所需浓度后进行混合。
　　
　　处理好后混合溶液中添加定量的铝粉末就可以制备成含有正三价铝的铝离子溶液。
　　
　　唯一的问题是注入碳化硅晶体中的铝离子需要稳定在一个相对的浓度中。
　　
　　这就需要韩元判断铝离子溶液中的铝离子含量具体有多少了。
　　
　　虽然有些麻烦，办法还是有的。
　　
　　通过添加氯化镁和氢氧化钠将混合溶液中的铝离子沉淀下来，然后再来进行判断。
　　
　　用这种方法，多试验几次，韩元也成功的制备出来了符合侵蚀注入要求的铝离子溶液。
　　
　　制备出合适的铝离子溶液后，韩元将已经通过氢氟酸蚀刻好的碳化硅晶材再一次刷上了一层石蜡，然后将需要注入铝离子的地方清理出来。
　　
　　处理好后的碳化硅晶材整齐的排放在一个长方形的阔口玻璃容器中。
　　
　　玻璃容器架在铁架上，下面还有几盏酒精喷灯。
　　
　　而且这一件玻璃容器和其他玻璃器皿也略有不同。
　　
　　这一件玻璃容器的玻璃壁中，带着紫色的铜线，有些地方的铜线还是露出来的。
　　
　　之前制备好的铝离子溶液缓慢的顺着玻璃管倒入容器中，浸没了碳化硅晶材一半左右。
　　
　　处理好这个后，韩元先点燃所有的酒精灯开始加热铝离子溶液。
　　
　　等待溶液开始沸腾的时候，再将玻璃容器中的铜线连上了电源，然后合上了电阀。
　　
　　直播间中的部分观众和各国的科研学者对于韩元制备的硫酸铝和硝酸铝的混合溶液和正在出来的过程很感兴趣，发送弹幕各种询问着。
　　
　　【这不是硫酸铝和硝酸铝溶液吗？怎么变成铝离子了？】
　　
　　【话说硝酸和铝反应不是会在铝的表面形成一层致密的氧化膜吗？有氧化膜的铝，即便是铝粉，也不能算铝离子吧？】
　　
　　【加热，通电，这样就可以将铝离子注入到碳化硅里面了吗？】
　　
　　【浓硝酸才会形成氧化膜，稀硝酸不会。】
　　
　　【应该是通过硫酸和硝酸侵蚀碳化硅吧？】
　　
　　【我在想，芯片也可以这样搞吗？】
　　
　　【这种离子掺杂的方式，能在碳化硅底层形成稳定的n-漂移层吗？具体能注入到多少毫米？】
　　
　　..........
　　
　　看到询问的弹幕，韩元笑了笑，解释道：“要将其符合侵蚀注入要求的铝离子注入到碳化硅材料中并不是一件简单的事情。
　　
　　“离子注入即便是在现代化工业中也需要特定的工艺和设备来进行处理。”
　　
　　“其原理是用100kev级的高能将需要注入的离子加速后将其射入到材料中。”
　　
　　“而离子束中的离子与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，逐渐损失能量，最后停留在材料中。”
　　
　　“最终引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。”
　　
　　“集成芯片基本都是采用‘离子注入’这种技术来处理硅基底的。”
　　
　　“一般来说，硅晶材的n-漂移层都是用铝离子来做的，以前使用最广泛的离子源使用铝金属微波离子源来作为离子束。”
　　
　　“但离子源的结构非常复杂，制作成本很高。”
　　
　　

（本章未完，请点击下一页继续阅读）